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三星电子突破性1Tbit 3D NAND闪存技术：400层字线创新引领存储未来

最近，三星电子宣布其最新的1Tbit 3DNAND闪存将字线层数突破400层，这标志着存储技术的又一次飞跃。三星在400层技术上的破冰之举，既是其V-NAND技术的又一次革新
2025-02-17
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0 2025-02-17

三星电子西安工厂完成V9 NAND制程升级，提升存储密度与性能

用AI写周报又被老板夸了！这是继V8 NAND（238层）之后的又一突破，V9 NAND将采用286层堆叠技术，进一步提升存储密度和性能。在AI技术快速发展的今天
2025-02-14
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0 2025-02-14

DRAM与NAND闪存市场表现分化：DDR4价格持续下滑，NAND交易低迷

DRAM 方面，消费者需求在春节后依然疲软，导致 DDR4 现货价格下跌；而 NAND 闪存市场交易低迷，供应商减产的效果尚未在市场端显现。
2025-02-06
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0 2025-02-06

NAND堆叠技术突破400层，闪存市场迎来重大变革

AI服务器需求量到底有多大？关于这一问题的答案，近期业内缺少共识。“我之前说过，预计到2030年，数据中心建设投入的金额将达1万亿美元，现在我确信我们会很快实现这一目标。
2025-03-28
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0 2025-03-28

AI投资带动！2025年第三季企业级SSD需求显著成长

AI投资带动！2025年第三季企业级SSD需求显著成长本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合企业级SSD，增长势头持续。根据TrendForce集邦咨询最新调查，以北美大厂为主的云端服务业者(CSP)持续加强AI投资
2025-05-27
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0 2025-05-27

三星西安NAND闪存工厂产量削减及286层V-NAND升级计划解析

三星前后花了十年的时间建设，分为两期工程，总产量最高可达到每月25万片晶圆，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂，占据了三星约40%的NAND闪存产量。
2025-02-15
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0 2025-02-15

长江存储第五代3D TLC NAND闪存出货，采用Xtacking 4.0架构，应用广泛

据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。
2025-02-03
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0 2025-02-03

三星电子或将对DRAM内存和NAND闪存提价3%~5%，存储芯片市场迎来涨价潮

韩媒披露调价消息韩国《每日经济》于4月3日报道
2025-04-07
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0 2025-04-07

2025年NAND市场趋势分析：价格下跌与减产策略对存储行业的影响

值得注意的是，三星作为NAND市场的代表性企业，早在2023年就开始预见市场饱和的风险，这一年其便将NAND产量削减20%-25%，随后在2024年2月
2025-01-27
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0 2025-01-27

美光下调10% NAND闪存产能利用率应对市场需求放缓，2025年第二财季出货量预计显著下降

核心观点NAND：美光下调10%NAND闪存产能利用率以应对市场需求放缓。根据DRAMexchange，上周（1223-1227）NAND颗粒22个品类现货价格
2025-01-02
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0 2025-01-02

DRAM与NAND闪存市场价格持续低迷，DDR4现货价格下滑至1.458美元

据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的内存现货价格趋势报告显示，DRAM内存与NAND闪存市场近期呈现出低迷走势。
2025-02-06
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0 2025-02-06

三星CTO宋在赫在ISSCC展示晶圆键合技术，突破1000层NAND闪存堆叠限制

三星还展示了为下一代NAND的大批量量产而准备的低温蚀刻和钼沉积等创新技术
2025-02-27
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0 2025-02-27

深圳德明利技术公司申请多通道NAND Flash数据处理专利，公开号CN119396344A

深圳市德明利申请多通道NAND Flash的数据处理方法及装置专利，提高数据写入的速度,专利,通道,深圳市,德明利,nand flash
2025-02-13
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0 2025-02-13

三星西安NAND工厂年内建设第九代产线，目标月产2000~5000片晶圆

2 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 昨日报道称，三星中国西安 NAND 闪存工厂在将制程从第六代 V-
2025-02-14
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0 2025-02-14

德国美因茨大学与Antaios合作研发基于SOT技术的MRAM，或将颠覆传统内存市场

根据研究团队的报告，SOT-MRAM在能效和性能上展现出的潜力值得期待，但将其推广到市场的过程中，技术成熟度和生产线的建设仍需要时间。 预测未来，SOT-
2025-02-17
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0 2025-02-17

2023年全球与中国低密度SLC NAND闪存市场发展趋势及2029年预测报告

全球低密度SLC NAND闪存市场主要厂商包括ATO Solution, Winbond, GigaDevice, Toshiba,Micron, Macronix。 3
2025-02-14
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0 2025-02-14

2024 年一季度全球 NAND FLASH 闪存市场报告：巨头垄断，小厂商生存艰难

形势严峻：被美国打压，国产NAND芯片原地踏步，份额仅5%,闪存,美光,三星,美国,海力士,原地踏步,nand芯片
2024-05-31
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0 2024-05-31

美股三大指数集体收涨，中概股普跌，IMF 下调美国 GDP 增速预测

（一）重要市场新闻1、美股三大指数集体收涨，道指涨0.09%，纳指涨0.3%，标普500指数涨0.09%，其中标普和纳指均连涨三日至一周新高，也重新逼近上周二所创的历史最高。
2024-06-28
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0 2024-06-28

铠侠宣布 3D NAND 闪存技术路线图，计划到 2027 年实现 1000 层堆叠

在全球半导体行业的激烈竞争中，日本知名存储芯片制造商铠侠（Kioxia）展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后
2024-06-29
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0 2024-06-29

金融界：贵公司有没有应用在手机和电脑上的存储芯片

金融界5月17日消息，有投资者在互动平台向兆易创新提问：贵公司有没有应用在手机和电脑和平板电脑上的存储芯片，请立项研发超级存储芯片，一个芯片，可
2024-05-18
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0 2024-05-18

TrendForce 集邦咨询：第三季 NAND Flash 供过于求比例上升，价格涨幅收敛

根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，第三季除了企业端持续投资服务器建设，尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用，继续受到订单推动
2024-06-29
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0 2024-06-29

铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图，2027 年将实现 1000 层堆叠

近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长
2024-07-01
NAND
0 2024-07-01

国金证券基础化工行业周报：VD3 和企业级 NAND 涨价，创新和卷王方向值得关注

国金证券近日发布基础化工行业周报：VD3和企业级NAND涨价，创新和卷王方向值得持续重点关注，以下为研究报告摘要： 主题：VD3和企业级NAND涨价
2024-07-01
NAND
0 2024-07-01

存储行业暖风来袭，材料端受益，韩国半导体材料供应商扩大产能

存储暖风惠及材料？三星、SK海力士NAND厂开工率回升 多个供应商扩产,韩国,sk,开工率,三星电子,海力士nand
2024-06-27
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0 2024-06-27

2024 年第一季 NAND Flash 量价齐扬，美光超越西部数据位居第四

根据集邦咨询研究，受惠于AI服务器自二月起扩大采用 SSD，大容量订单开始涌现，以及PC、智能手机客户为因应价格上涨，持续提高库存水位
2024-05-30
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0 2024-05-30
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