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美光四层单元QLC NAND闪存优势显著,G9架构带来创新
美光四层单元QLC NAND闪存优势显著,G9架构带来创新美光的四层单元(QLC)NAND闪存相较于传统的SLC、MLC和TLC NAND闪存,具有显著的优势。通过更高的存储密度

美光推出业界最高密度SLC NAND闪存,引领太空存储新潮流
美光推出业界最高密度SLC NAND闪存,引领太空存储新潮流7月23日消息,据媒体报道,美光正式推出业界最高密度、抗辐射能力突出的单层单元(SLC)NAND闪存,其为首款获得正式且完整太空认证的NAND。

电子行业最新趋势:小米增速领跑市场,NAND供需迎来拐点
2025年2月以来,电子行业呈现分化态势。小米集团宣布延续30%以上的高速增长,成为消费电子领域最大亮点;NAND闪存市场在需求端释放积极信号,机构预计供需拐点将于上半年到来。

三星电子突破性1Tbit 3D NAND闪存技术:400层字线创新引领存储未来
最近,三星电子宣布其最新的1Tbit 3DNAND闪存将字线层数突破400层,这标志着存储技术的又一次飞跃。三星在400层技术上的破冰之举,既是其V-NAND技术的又一次革新

三星电子西安工厂完成V9 NAND制程升级,提升存储密度与性能
用AI写周报又被老板夸了!这是继V8 NAND(238层)之后的又一突破,V9 NAND将采用286层堆叠技术,进一步提升存储密度和性能。在AI技术快速发展的今天

DRAM与NAND闪存市场表现分化:DDR4价格持续下滑,NAND交易低迷
DRAM 方面,消费者需求在春节后依然疲软,导致 DDR4 现货价格下跌;而 NAND 闪存市场交易低迷,供应商减产的效果尚未在市场端显现。

TrendForce集邦咨询:2025年第二季NAND Flash产业营收增长,第三季幅度收敛?
TrendForce集邦咨询:2025年第二季NAND Flash产业营收增长,第三季幅度收敛?根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第二季NAND Flash产业虽面临平均销售价格(ASP)小幅下滑,所幸原厂减产策略缓解供需失衡,叠加中、美两大市场

AI投资带动!2025年第三季企业级SSD需求显著成长
AI投资带动!2025年第三季企业级SSD需求显著成长本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合企业级SSD,增长势头持续。根据TrendForce集邦咨询最新调查,以北美大厂为主的云端服务业者(CSP)持续加强AI投资

三星西安NAND闪存工厂产量削减及286层V-NAND升级计划解析
三星前后花了十年的时间建设,分为两期工程,总产量最高可达到每月25万片晶圆,是全球单个产能最高的NAND闪存工厂,占据了三星约40%的NAND闪存产量。

长江存储第五代3D TLC NAND闪存出货,采用Xtacking 4.0架构,应用广泛
据外媒报道,长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构,堆叠层数高达294层,并拥有232个有源层,实现了技术上的重大突破。


2025年NAND市场趋势分析:价格下跌与减产策略对存储行业的影响
值得注意的是,三星作为NAND市场的代表性企业,早在2023年就开始预见市场饱和的风险,这一年其便将NAND产量削减20%-25%,随后在2024年2月

价格周期、AI产业趋势与关税共振,存储芯片价格有望持续上涨
价格周期、AI产业趋势与关税共振,存储芯片价格有望持续上涨(以下内容从开源证券《电子行业点评报告:存储行业跟踪报告——AI需求持续高景气,存储涨价仍在进行时》研报附件原文摘录)核心观点:价格周期+AI产业趋势+关税多重
三星重启Z-NAND技术开发,目标性能是现有NAND闪存15倍?
三星重启Z-NAND技术开发,目标性能是现有NAND闪存15倍?2015年,由英特尔和美光(Micron)共同研发的3D XPoint技术横空出世,称为革命性的存储技术。为了对抗傲腾产品,当时存储市场的霸主三星在2017年也带来了Z-

:结合DRAM与NAND优点的UltraRAM要量产啦?
:结合DRAM与NAND优点的UltraRAM要量产啦?8月29日消息,结合DRAM内存、NAND闪存优点的新一代内存——UltraRAM终于要来了,如今正迈向量产。据报道
6月19日兆易创新向港交所主板递交上市申请,业务领先
6月19日兆易创新向港交所主板递交上市申请,业务领先据港交所6月19日披露,兆易创新(603986)科技集团股份有限公司(603986.SH)(简称:兆易创新)向港交所主板递交上市申请

SK海力士正式完成收购英特尔NAND闪存业务,全球存储市场格局生变
3月28日,SK海力士宣布已完成对英特尔NAND闪存及SSD业务收购案的第二阶段交易。此项交易最初于2020年末公布,整个过程分为两个阶段实施。

美国CPI与PPI数据重磅发布,关税阴霾下通胀成市场焦点
美股周一暴跌 ,特朗普不排除经济衰退可能性。美银建议买入长期美债,看好中国和欧洲股票。

三星CTO宋在赫在ISSCC展示晶圆键合技术,突破1000层NAND闪存堆叠限制
三星还展示了为下一代NAND的大批量量产而准备的低温蚀刻和钼沉积等创新技术

德国美因茨大学与Antaios合作研发基于SOT技术的MRAM,或将颠覆传统内存市场
根据研究团队的报告,SOT-MRAM在能效和性能上展现出的潜力值得期待,但将其推广到市场的过程中,技术成熟度和生产线的建设仍需要时间。 预测未来,SOT-

2023年全球与中国低密度SLC NAND闪存市场发展趋势及2029年预测报告
全球低密度SLC NAND闪存市场主要厂商包括ATO Solution, Winbond, GigaDevice, Toshiba,Micron, Macronix。 3

三星西安NAND工厂年内建设第九代产线,目标月产2000~5000片晶圆
2 月 13 日消息,韩媒 SEDaily 昨日报道称,三星中国西安 NAND 闪存工厂在将制程从第六代 V-

深圳德明利技术公司申请多通道NAND Flash数据处理专利,公开号CN119396344A
深圳市德明利申请多通道NAND Flash的数据处理方法及装置专利,提高数据写入的速度,专利,通道,深圳市,德明利,nand flash

DRAM与NAND闪存市场价格持续低迷,DDR4现货价格下滑至1.458美元
据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的内存现货价格趋势报告显示,DRAM内存与NAND闪存市场近期呈现出低迷走势。

新型存储技术UltraRAM商业化进展显著,优势融合引关注
新型存储技术UltraRAM商业化进展显著,优势融合引关注据 TechNews 报道,引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息,新型存储技术“UltraRAM”
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