NAND堆叠技术突破400层，闪存市场迎来重大变革

数据中心存储需求现状

最近，据第一财经记者从数家数据存储公司的高层管理人员那里获取的消息，今年数据中心对存储设备的采购需求与去年保持稳定。一方面，市场传出的消息显示，微软取消了原计划在美国和欧洲地区建设、耗电量高达2000兆瓦的新数据中心项目。这一决策主要是由于AI计算机集群供应过剩的问题。另一方面，当前市场上对AI数据中心服务器的需求持续旺盛，特别是在北美地区。

存储供应商对实际需求有了独立的见解。他们认为，随着人工智能技术的进步，数据中心对存储的需求发生了变化。不同类型的服务器对存储空间的需求存在差异。例如，铠侠预测，AI推理服务器所需的存储空间预计将少于学习服务器。尽管服务器数量在增加，但这种变化将推动存储需求的上升。

端侧硬件市场变化

自年初起，众多存储设备制造商观察到端侧硬件市场正经历显著变革。其中，一个明显趋势是存储需求量的增加。苟嘉章指出，今年，个人电脑的原始制造商计划推出配备4T存储空间的新产品。同时，智能手机的存储容量也可能实现重大突破，有望达到2T。

AI技术的广泛应用促进了个人电脑、智能手机等终端设备对存储空间的更大需求，这一趋势使得QLC技术受到了众多厂商的青睐，并迅速在市场上得到广泛应用。伴随着存储需求的不断增长，存储设备制造商在终端硬件领域持续进行技术创新和深入研究。

闪存市场调整

人工智能技术对半导体行业产生了重大影响，推动处理器市场向GPU领域倾斜，同时内存市场转向了HBM技术。近期，闪存市场也经历了显著变动。在此之前，以美国为主导的AI企业主要集中精力在算力硬件上，模型训练的成本相当高昂。但如今，闪存技术同样成为了行业关注的焦点。

AI技术的普及使得边缘存储容量持续提升，这促使闪存供应商持续推动技术革新以迎合市场需求。无论是在数据中心还是终端设备，闪存市场正面临一场深刻的变革。众多企业正积极应对，力求跟上市场的快速发展。

提高存储密度技术

铠侠电子（中国）存储颗粒部门负责人大久保贵史指出，提升存储容量不仅限于增加层数，缩小颗粒的横向尺寸亦是可行途径。目前，众多企业正热衷于采用键合技术，包括长江存储、铠侠和三星等在内的公司，均已启动相关研究工作。

三星电子于今年二月在国际固态电路展览会上发布了有关400层TLC NAND产品的多方面信息。该产品目前仍处于研发过程中，尚未达到量产阶段。然而，该产品在存储密度技术领域展现了研发的成果。同时，SK海力士正在加速400层NAND技术的研发进程，并计划在2025年年底前完成大规模生产的准备工作。

NAND闪存产品规划

未来，NAND闪存市场将面临更为激烈的竞争。三星与铠侠均设定目标，力争在2030年左右实现1000层NAND闪存技术的突破。目前，铠侠正推广112层的BiCS5产品。预计至明年3月前，BiCS5及218层的BiCS8将成为市场主流。铠侠2025年的设备投资将主要集中于218层产品。

存储密度的提升关键在于产品层数的持续增加。展望未来，预计NAND闪存产品的层数将持续增加，同时，其存储容量与性能也将持续优化，以迎合市场需求的不断上升。

数据中心应用前景

专家指出，即将上市的NAND闪存产品在存储容量和能耗方面有所提升。然而，在AI数据中心的应用上，这些产品还需一段适应期。苟嘉章预计，新一代NAND闪存可能不会立即进入数据中心市场。这是因为数据中心对技术的稳定性和市场认可度有较高要求，而新产品的应用可能更倾向于满足对速度有更高要求的手机等设备。

数据中心对存储系统的稳定性要求严格，因此新一代存储技术需在市场验证其稳定性可靠后，方可大规模应用于数据中心。此外，这一特点亦暗示，新技术的推广应当采取分阶段、逐步实施的方法。

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