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全球三大DRAM原厂停产DDR4,AI发展引发存储行业震荡?
全球三大DRAM原厂停产DDR4,AI发展引发存储行业震荡?今年以来,全球三大DRAM原厂(三星、SK海力士、美光)集体宣布停产DDR4/LPDDR4X产品,并将产能集中布局DDR5及HBM等高端制程产品,导致全球DDR4产品供给剧烈收缩

新型存储技术UltraRAM商业化进展显著,优势融合引关注
新型存储技术UltraRAM商业化进展显著,优势融合引关注据 TechNews 报道,引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息,新型存储技术“UltraRAM”

美光四层单元QLC NAND闪存优势显著,G9架构带来创新
美光四层单元QLC NAND闪存优势显著,G9架构带来创新美光的四层单元(QLC)NAND闪存相较于传统的SLC、MLC和TLC NAND闪存,具有显著的优势。通过更高的存储密度
SK海力士资本支出计划稳步推进,多市场需求增长态势良好
SK海力士资本支出计划稳步推进,多市场需求增长态势良好资本支出M15X晶圆厂将于今年四季度如期投产,明年起开始生产包括HBM在内的DRAM产品;龙仁首座工厂也将在2027年二季度竣工。预计2025年资本支出将高于之前的计划。

:结合DRAM与NAND优点的UltraRAM要量产啦?
:结合DRAM与NAND优点的UltraRAM要量产啦?8月29日消息,结合DRAM内存、NAND闪存优点的新一代内存——UltraRAM终于要来了,如今正迈向量产。据报道

金融界:贵公司有没有应用在手机和电脑上的存储芯片
金融界5月17日消息,有投资者在互动平台向兆易创新提问:贵公司有没有应用在手机和电脑和平板电脑上的存储芯片,请立项研发超级存储芯片,一个芯片,可
存储行业暖风来袭,材料端受益,韩国半导体材料供应商扩大产能
存储暖风惠及材料?三星、SK海力士NAND厂开工率回升 多个供应商扩产,韩国,sk,开工率,三星电子,海力士nand

东芯股份 2024 年中报:营收增长,归母净利润亏损,存储芯片市场份额解析
投资要点:2024年中报:营业收入2.66亿元,同比增长11.12%,归母净利润-9112.11万元,扣非归母净利润-9,914.12万元。24Q2营收1.60

解决 MK 米客方德 SDNAND 低功耗问题的关键:CMD24 后 MISO 电平高
最近,收到客户反馈,使用MK米客方德SD NAND过程中,使用SPI模式,对SD完成操作后,SD没有进入低功耗模式,未对SD进行任何操作的情况下测得的功耗仍在20mA左右。

江波龙携 FORESEE 亮相 ELEXCON2024 深圳国际电子展,展示存储领域最新技术成果
8月27日至29日,江波龙携旗下行业类存储品牌FORESEE亮相ELEXCON2024深圳国际电子展,展示其在存储领域的最新技术成果。在此次展会上

江波龙携 FORESEE 亮相 ELEXCON2024 深圳国际电子展,展示最新存储技术成果
8月28日消息,江波龙携旗下行业类存储品牌FORESEE亮相ELEXCON2024深圳国际电子展,展示其在存储领域的最新技术成果。在此次展会上

SK 海力士副总裁:Chiplet 技术将在 2-3 年后应用于 DRAM 和 NAND 产品
中文科技资讯精选摘要:综合韩媒 The Elec 和 ZDNet Korea 报道,SK 海力士副总裁(也称常务)文起一韩国当地时间昨日在学术会议上称

铠侠宣布 3D NAND 闪存技术路线图,计划到 2027 年实现 1000 层堆叠
在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商铠侠(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后

美股三大指数集体收涨,中概股普跌,IMF 下调美国 GDP 增速预测
(一)重要市场新闻1、美股三大指数集体收涨,道指涨0.09%,纳指涨0.3%,标普500指数涨0.09%,其中标普和纳指均连涨三日至一周新高,也重新逼近上周二所创的历史最高。

国金证券基础化工行业周报:VD3 和企业级 NAND 涨价,创新和卷王方向值得关注
国金证券近日发布基础化工行业周报:VD3和企业级NAND涨价,创新和卷王方向值得持续重点关注,以下为研究报告摘要: 主题:VD3和企业级NAND涨价

铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图,2027 年将实现 1000 层堆叠
近日,据媒体报道,日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示,自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长
2024 年一季度全球 NAND FLASH 闪存市场报告:巨头垄断,小厂商生存艰难
形势严峻:被美国打压,国产NAND芯片原地踏步,份额仅5%,闪存,美光,三星,美国,海力士,原地踏步,nand芯片

日本 NAND Flash 巨头铠侠 2024 财年第一财季营收创历史新高,背后原因有哪些?
日本NAND Flash巨头铠侠近日发布了其2024财年第一财季(对应2024年第二季度)的财务报告,展现出了强劲的增长势头。该季度内,铠侠的合并营收同比激增71%
AI 需求大增致 Enterprise SSD 合约价累积涨幅超 80%,2YY 产品或于 2025 年量产
2024年AI SSD采购容量预计突破45EB,NAND Flash供应商加速制程升级,闪存,ai,tb,服务器,enterprise ssd

Lam Research 推出 Lam Cryo 3.0,为迈向 1000 层 3D NAND 铺平道路
Lam Research 推出低温蚀刻新技术,为 1000 层 3D NAND 铺平道路。

美国将 5 家中国企业加入涉疆法案实体清单,ITC 对 NAND 存储设备启动 337 调查
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西部数据拆分计划启动,HDD 与 SSD 及 NAND 闪存业务将独立运营
8月25日消息,据媒体报道,自2021年起西部数据和铠侠(Kioxia)就NAND闪存生产业务合并一直在谈判,不过最终因计划遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对

西部数据战略调整:拆分公司,聚焦业务,提升价值
自2021年起,西部数据和铠侠在NAND闪存业务合并的谈判一直陷入僵局。由于铠侠的主要股东贝恩资本对合并条款存在分歧,并且SK海力士对其计划强烈反对
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