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AI 需求大增致 Enterprise SSD 合约价累积涨幅超 80%,2YY 产品或于 2025 年量产
2024年AI SSD采购容量预计突破45EB,NAND Flash供应商加速制程升级,闪存,ai,tb,服务器,enterprise ssd

日本 NAND Flash 巨头铠侠 2024 财年第一财季营收创历史新高,背后原因有哪些?
日本NAND Flash巨头铠侠近日发布了其2024财年第一财季(对应2024年第二季度)的财务报告,展现出了强劲的增长势头。该季度内,铠侠的合并营收同比激增71%

SK 海力士展示未发布规范的 USF 4.1 通用闪存,传输速率或再提升
根据 SK 海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在 FMS 2024 峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的 USF 4.1 通用闪存。

2024 年一季度全球 NAND FLASH 闪存市场报告:巨头垄断,小厂商生存艰难
形势严峻:被美国打压,国产NAND芯片原地踏步,份额仅5%,闪存,美光,三星,美国,海力士,原地踏步,nand芯片

DRAM 和 NAND 闪存现货市场价格未见明显回升迹象,短期内难以反弹
DARM和NAND现货市场价格走低,涨价周期或将结束,闪存,芯片,dram,nand,darm

国金证券基础化工行业周报:VD3 和企业级 NAND 涨价,创新和卷王方向值得关注
国金证券近日发布基础化工行业周报:VD3和企业级NAND涨价,创新和卷王方向值得持续重点关注,以下为研究报告摘要: 主题:VD3和企业级NAND涨价


TrendForce 集邦咨询:第三季 NAND Flash 供过于求比例上升,价格涨幅收敛
根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示,第三季除了企业端持续投资服务器建设,尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用,继续受到订单推动

铠侠宣布 3D NAND 闪存技术路线图,计划到 2027 年实现 1000 层堆叠
在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商铠侠(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后

美股三大指数集体收涨,中概股普跌,IMF 下调美国 GDP 增速预测
(一)重要市场新闻1、美股三大指数集体收涨,道指涨0.09%,纳指涨0.3%,标普500指数涨0.09%,其中标普和纳指均连涨三日至一周新高,也重新逼近上周二所创的历史最高。

存储行业暖风来袭,材料端受益,韩国半导体材料供应商扩大产能
存储暖风惠及材料?三星、SK海力士NAND厂开工率回升 多个供应商扩产,韩国,sk,开工率,三星电子,海力士nand

三星三季度将上调 DRAM 和 NAND 价格,存储芯片行业景气度上行,国内厂商未来可期
据媒体报道,三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%。据业内人士6月26日消息

2024 年第一季 NAND Flash 量价齐扬,美光超越西部数据位居第四
根据集邦咨询研究,受惠于AI服务器自二月起扩大采用 SSD,大容量订单开始涌现,以及PC、智能手机客户为因应价格上涨,持续提高库存水位

应用专用命令 app_cmd 及 ACMD 的详细解析与使用指南
应用专用命令app_cmd (CMD55) 当卡接收到这个命令时,会使卡将下面的命令解释为一个特定于应用程序的命令ACMD。ACMD提供命令扩展,具有与常规命令相同的结构

华邦电子推出 1GB 1.8V QspiNAND 闪存,助力可穿戴和物联网设备
华邦电子(Winbond Electronics)面向可穿戴设备、低功耗物联网设备,推出了 1GB 1.8V QspiNAND 闪存 W25N01KW。

慧荣科技推出全球首款台积电 6 纳米 EUV 制程的 PCIe Gen5 客户端 SSD 主控芯片
慧荣科技于 FMS 2024 正式推出最佳能耗比 PCIe Gen5 SSD 主控芯片

江波龙电子持续加大研发投入,核心产品存储芯片出货量突破 5000 万颗大关
江波龙电子近期公布的投资者关系活动数据显示,公司在高端存储技术领域持续加大研发投入,2024年上半年研发费用较去年同期实现显著增长,彰显了其在企业级、工规级存储器

创新领跑中小容量赛道,聚焦利基存储市场,这家公司拐点已至
炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会!创新领跑中小容量赛道,差异化多层次产品布局:公司为国内领先的存储芯片研发设计公司

东芯股份获东吴证券买入评级,利基存储市场优势明显,国产替代有望提升市场份额
东芯股份获东吴证券买入评级,SLC NAND国产先锋,拐点已至,利基,东吴证券,nand,东芯股份,国产先锋,原材料价格

SK 海力士开发超 400 层 NAND 闪存,加速新一代产品开发,抢夺市场份额
SK海力士加速开发400+层的NAND闪存,目标2025年末做好量产准备,闪存,sk,芯片,海力士,西部数据,nand

美光量产 G9 TLC NAND 闪存芯片,速度提升 50%,引领 SSD 性能新突破
美光宣布量产全新G9 TLC NAND闪存,速度比竞争产品快50%,提供无与伦比的带宽。2650 NVMe SSD超越竞争对手38%,顺序读取速度高达7000 MB/s。

SK 海力士加速下一代 NAND 闪存开发,2025 年末完成 400+层堆叠量产准备
按照韩媒的说法,SK海力士未来两代NAND的间隔将缩短至约1年。

美光第九代 3D TLC NAND 闪存技术 SSD 产品出货,性能卓越,适用于多场景
美光宣布推出第九代NAND闪存技术,并带来2650系列SSD产品,tb,ssd,nand,闪存技术,美光科技,财务会计,财务报表
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