三星电子西安工厂完成V9 NAND制程升级，提升存储密度与性能

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三星电子近日宣布，其位于中国西安的NAND闪存工厂即将完成制程升级，年内将建成第九代V9 NAND产线。这是继V8 NAND（238层）之后的又一突破，V9 NAND将采用286层堆叠技术，进一步提升存储密度和性能。

据悉，V9 NAND将采用全新的制造工艺，在提升存储容量的同时优化读写速度和功耗表现。三星计划于今年上半年完成新设备导入，目标在今年底实现每月2000-5000片晶圆的产能。目前，基于V9 NAND技术的TLC和QLC颗粒已实现量产，并在韩国平泽P4工厂制造。

此次升级不仅是三星在存储技术领域的又一次突破，也将对整个半导体行业产生深远影响。在AI技术快速发展的今天，更高性能的存储解决方案将为AI训练和推理提供更强有力的支持，推动AI应用的普及和创新。

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