首页 > TAG信息列表 > NAND

SK海力士300层NAND闪存量产,三星存储半导体领先地位受威胁,欢迎标星收藏
三星的NAND,也被SK海力士超越了,闪存,海力士,ssd,dram,nand,三星电子

江波龙回应与车企合作相关疑问,车规级存储业务情况解析
金融界11月25日消息,有投资者在互动平台向江波龙提问:董秘您好,据了解买小米汽车会送贵公司的u盘,之前公司说与各大车企有合作,请问是这种合作么?

三星电子3D NAND技术突破:光刻胶用量减半降成本,业界关注未来发展
三星电子3D NAND技术突破;传高通对英特尔收购意向有所减退,惠普,英特尔,台积电,传高通,nand,三星电子,先进芯片,知名企业

2024年第三季NAND Flash产业出货量下降,平均销售单价上涨,整体营收增长
每经AI快讯,根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%,但平均销售单价(ASP)上涨7%

AI服务器需求支撑存储器市场,NAND闪存价格走势分化
NAND闪存市况持续恶化,铠侠或12月开始实施减产,铠侠,闪存,ssd,存储器,nand

NAND颗粒价格持续下跌,手机和笔记本市场萎缩成主因
NAND颗粒是固态硬盘的基本和核心元件,据市场调研机构Dram Exchange发布的数据显示,通用NAND固定价格自去年10月起连续5个月上涨后,从今年3月开始横盘

三星即将展示第10代超400层3D NAND Flash,接口速度达5.6 GT/s
据媒体报道,三星即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash,接口速度可达5.6 GT/s。
三星的这一新一代V-
三星的这一新一代V-




三星电子突破400层NAND技术,2025年量产计划及行业竞争分析
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 除了400层NAND,三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。 三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性40
东芯股份吸引近900家机构调研,存储芯片行业需求增长前景分析
本报记者张文湘见习记者占健宇12月24日,东芯半导体股份有限公司(下称“东芯股份”)发布投资者关系活动记录表显示,12月18日至20日

热门文章