2023年12月申请2025年2月安徽格恩半导体取得半导体激光芯片专利

金融界2025年2月4日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种半导体激光芯片”的专利，授权公告号 CN U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体光电器件的技术领域，尤其涉及一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，通过光刻工艺，将上包覆层刻蚀至距离电子阻挡层约5～500nm，刻出激光的脊，再在脊上方制备接触电极；所述脊具有左侧的第一刻蚀界面和右侧的第二刻蚀界面，所述第一刻蚀界面和第二刻蚀界面呈不规则曲线分布或弧形分布或线性分布。本实用新型通过控制脊的变化角度，控制弯折角的曲线和弧度，减少载流子泄漏，降低光场泄漏和杂散光，减少干扰FFP远场图像质量，提升光束质量因子。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币，实缴资本1316.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息428条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界