安徽大学与合肥晶合集成电路联合创新：硅化物连接层形成方法及其在半导体器件中的应用
天眼查App显示，安徽大学与合肥晶合集成电路股份有限公司联合公开了一项关于硅化物连接层的形成方法及其在半导体器件中的应用。该方法包括：首先提供一个包含硅材质的半导体结构，在其上形成保护层和金属层；随后通过退火工艺使金属粒子穿过保护层与硅反应，形成中间层；接着在保护层的保护下去除金属层的剩余部分，并再次执行退火工艺，促使中间层与硅进一步反应，最终形成硅化物连接层，同时去除保护层。此方法确保了中间层在去除金属层过程中不受损失，从而有效提升了半导体器件的性能。这一创新技术有望在未来的集成电路制造中发挥重要作用。
风险警告：本文根据网络内容由AI生成，内容仅供参考，不应作为专业建议或决策依据。用户应自行判断和验证信息的准确性和可靠性，本站不承担可能产生的任何风险和责任。内容如有问题，可联系本站删除。