英特尔在IEDM 2024展示多项技术突破：新材料与先进封装创新
12 月 8 日消息，据英特尔官方消息，在 IEDM 2024（2024 年 IEEE 国际电子器件会议）上，英特尔代工展示了多项技术突破。
▲ 图源英特尔
在新材料方面，减成法钌互连技术（ ）最高可将线间电容降低 25%，有助于改善芯片内互连。
英特尔代工还率先汇报了一种用于先进封装的异构集成解决方案选择性层转移（ Layer ，SLT），能够将吞吐量提升高达 100 倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip ）。
为了进一步推动全环绕栅极（GAA）的微缩，英特尔代工展示了硅基 CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的 2D 场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块，以提高设备性能。