台积电 2nm 晶圆价格飙升，性能功耗显著提升，晶体管密度增加 15%
快讯摘要
台积电2nm晶圆价格飙升至超3万美元，性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，晶体管密度增15%。
快讯正文
【台积电2nm工艺晶圆价格飙升至3万美元以上，性能与功耗显著提升】 台积电(TSM.N)在2nm制程节点上取得了重大突破，首次引入了Gate-all- FETs晶体管技术。此外，N2工艺还结合了技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是，晶体管密度将提升15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。 台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元，高于之前预期的2.5万美元。相比之下，目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元，而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间，无论如何，可以预见2nm晶圆的价格会有大幅度的提升。
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