台湾积体电路制造股份有限公司申请半导体装置及其制造方法专利

AI世纪 2024-08-20
芯片 2024-08-20

金融界 2024 年 8 月 20 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法“,公开号 CN2.4 ,申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示,一种半导体装置及其制造方法,半导体装置包含介电层以及包含于介电层中的电容器结构,其中电容器结构包含第一导电层、在第一导电层上的绝缘层、在绝缘层上的第二导电层,以及在绝缘层与第一导电层及第二导电层的至少一者之间的缓冲层。缓冲层可包含在电容器结构的第一导电电极层与绝缘层之间,及/或在第二导电电极层与绝缘层之间,以减少电容器结构的晶格不匹配。缓冲层包含可增进绝缘层与一或多个导电电极层之间的晶格匹配的材料的组合。相较于不包含缓冲层的其他电容器结构,前述减少电容器结构中的结构缺陷形成的可能性。

本文源自:金融界