台湾积体电路制造股份有限公司新专利:半导体器件及其形成方法
金融界 2024 年 8 月 20 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“,公开号 CN2.8 ,申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示,器件包括:半导体沟道的堆叠件;栅极结构,包裹半导体沟道;源极/漏极区域,邻接半导体沟道;源极/漏极接触件,位于源极/漏极区域上;以及栅极间隔件,位于源极/漏极接触件和栅极结构之间。栅极间隔件包括:第一间隔件层,与栅极结构接触;以及第二间隔件层,位于第一间隔件层和源极/漏极接触件之间,第二间隔件层具有位于堆叠件上的第一部分和位于第一部分上的第二部分,第二部分薄于第一部分。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本文源自:金融界