韩国机构展望未来十年：HBM高带宽内存、AI GPU加速卡发展形势几何？

6月16日消息，近日，韩国高级科学技术院(KAIST)、TB级互联与封装实验室(TERA)共同展望了未来十年HBM高带宽内存、AI GPU加速卡的发展形势，疯狂得有些难以置信。

HBM技术目前已落地最先进的是HBM3E，NV B300系列、AMD MI350系列都做到了最大288GB。

即将到来的是BHM4， Rubin系列预计做到最大384GB，AMD MI400系列更是准备冲击432GB。

后续标准尚未制定，但是预计HBM5的容量可达400-500GB，HBM6能够做到1536-(1.5-1.9TB)，HBM7更是可达5120-，也就是大约4.2-6TB！

Rubin预计明年推出，芯片面积728平方毫米，芯片功耗800W，双芯整合封装，中介层面积近2200平方毫米，搭配8颗HBM4，带宽最高32TB/s，整卡功耗预计2200W。

目前的AMD MI350系列风冷1000W、水冷1400W， B300也做到了1400W。

再往后，代号的再下一代 AI GPU预计2029年到来，估计核心面积750平方毫米左右，芯片功耗就有900W左右，四芯整合封装，中介层面积约4800平方毫米，搭配8颗HBM5，带宽48TB/s，整卡功耗4400W。

之后的代号都没公布，以下数据也都是纯粹的想象：

之后下一代2032年推出，单芯片面积缩小到700平方毫米，但是功耗突破1000W，而且通过四芯整合封装，中介层超过6000平方毫米，搭配多达16颗HBM6，带宽256TB/s，整卡巩固好近6000W。

再往后的2035年，又是新一代，单芯片面积继续缩小到600平方毫米，但是功耗达1200W，而且首次八芯片整合封装，中介层超过9000平方毫米，搭配32颗HBM7，带宽1TB/s，功耗！

这么走下去真的好吗？每个数据中心旁边就得搭配一座核电站了！