新型存储技术UltraRAM商业化进展显著，优势融合引关注

据  报道，引用了 Tom’s  和  & Files 的信息，新型存储技术“”，结合了 DRAM 和 NAND 的优势，在商业化方面取得了显著进展。英国半导体初创公司 ， 的开发者，与 IQE 合作，将其制造推进到工业规模。

被认为是一种融合了 DRAM 和 NAND 优势的新型存储器。据 Tom’s 报道，它提供类似 DRAM 的高速性能，比 NAND 耐用 4,000 倍，超低能耗，以及长达 1,000 年的数据保持能力。据报道，商业化下一步将看到 和 IQE 与多家晶圆代工厂和行业合作伙伴探索试点生产。

外延技术在 中的重要作用

据 Tom’s 报道，该设计利用了一种新开发的高级外延工艺，使用砷化镓和砷化铝——据称是世界首创——这将铺平 大规模生产的道路。

报告进一步表明， 是基于外延技术作为其关键第一步构建的，在晶体衬底上生长化合物半导体层，然后是标准方法，如光刻和蚀刻。

商业化的挑战

的 被视为一项变革性技术，有潜力取代 DRAM 和 NAND。然而，正如 & Files 所指出的，它首先必须集成到现有的内存供应链中。

报告指出，、Nanya、SK hynix 和 等 DRAM 制造商，以及 、、SK hynix/、 和 等 NAND 生产商，向设备制造商供应内存和 SSD。为了使 得到采用， 需要进入这个供应链，以便终端设备供应商可以使用它的内存而不是 DRAM 和 NAND——报告强调，这一转变需要在硬件、操作系统和系统软件层面进行改变。

& Files 进一步指出，如果 能够展示出具有可行产率的工业规模制造，并交付比 DRAM 和 NAND 更高系统级性能且能耗更低的 ，那么 就有可能真正获得发展。然而，它强调，最关键的因素是证明一条清晰的、能够实现大规模盈利生产的路径。