三星重启Z-NAND技术开发，目标性能是现有NAND闪存15倍？

2015年，由英特尔和美光（）共同研发的3D 技术横空出世，称为革命性的存储技术。为了对抗傲腾产品，当时存储市场的霸主三星在2017年也带来了Z-NAND技术，技术第四代V-NAND闪存打造了Z-SSD系列SSD，性能强于NAND闪存，比起DRAM又多出了非易失性的特点。不过与3D 技术一样，因市场需求不足，三星并没有推出后续产品。

据报道，在本周举行的FMS 2025上，三星宣布将重新启动Z-NAND技术的开发工作，目标性能是现有NAND闪存的15倍，同时功耗最多降低80%。相比于早期Z-SSD系列产品高出当时传统SSD大概6到10倍的性能，显然这次三星的野心更大。

三星表示，新一代Z-NAND技术主要针对人工智能（AI）应用场景，将重点放在AI GPU优化上，创建一项允许GPU直接访问Z-NAND存储设备的新技术（类似于微软的 API），名为“GIDS（GPU- ）”，以绕过CPU和DRAM，以最大限度地减少访问时间并降低延迟。

不同于3D 技术采用了全新的架构，最初的Z-NAND技术是经过优化加速的SLC NAND SSD，一方面改良了运行模式，另一方面将页大小缩小至2–4KB（普通SSD为8–16KB），从而以更小的数据块读写，提升了速度，降低了延迟。

目前PCIe 6.0 SSD已经出现，传统SSD也变得越来越快，新一代Z-NAND技术是否能达到设定的性能目标将是大家关注的焦点。随着人工智能热潮持续，如果三星能够提供令人满意的Z-NAND产品，相信在寻找客户方面不会有太大的困难。