6月6日美光官宣出货全球首款1γ制程LPDDR5X内存，有何变革？

6月6日，美光科技（MU.US）官宣已开始出货全球首款采用1γ（1-gamma）制程节点的内存认证样品。美光内存速率达到每秒10.7 Gb（Gbps），同时功耗可降低高达20%。此外，美光工程师已将的封装尺寸缩小至0.61毫米，较前一代产品高度降低14%。目前，美光已向特定合作伙伴送样基于1γ节点的 16GB产品，并将提供从8GB至32GB的多种容量用于2026年的旗舰智能手机。

美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark 表示：“美光基于1γ (1-gamma）节点的内存将为移动行业带来显著变革。这项突破性技术凭借业界超薄的封装实现了卓越的速率和能效，为新一代智能手机的创新设计开辟新契机。该解决方案彰显了美光致力于赋能生态系统、打造非凡移动体验的承诺。”

美光基于1γ（1-gamma）节点的为移动设备带来显著的性能跃升，加速AI洞察，提供更卓越的使用体验。例如，在基于大型语言模型Llama 2的移动AI响应时间测试中，相比基于1β（1-beta）节点、带宽7.5 Gbps的，基于1γ节点、带宽达10.7 Gbps的可带来以下提升：在询问基于地点的餐厅推荐时，回应速度提升 30%；使用导航功能时，将英语语音查询转译为西班牙语文字的回应速度可提升50%以上；在根据车型、预算范围以及特定信息娱乐与安全功能询问汽车采购建议时，回应速度最高可提升25%。

据介绍，美光基于1γ的是公司首款采用先进EUV光刻技术的移动解决方案，目前正在美光的移动产品组合中逐步采用。该产品依托业界领先的内存节点技术，让客户能够率先体验性能与能效的突破。这项重要进展是在美光今年二月针对数据中心和客户端细分市场下一代CPU提供的1γ DDR5内存样品基础上取得的。美光优化的1γ DRAM节点采用了CMOS技术7，如用于提升晶体管性能的新一代HKMG（高K金属栅极）技术，并采用领先的EUV光刻工艺提升容量密度。

能耗密集型的移动AI工作负载越来越多地在端侧设备上处理，而非仅依赖云端。低功耗芯片对于执行AI运算时需要兼顾出色能效的智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备至关重要。

美光基于1γ的可显著节省20%的功耗，使移动设备用户单次充电即可更持久畅享AI应用、游戏和视频内容。此外，随着AI应用对高性能、低功耗计算需求的不断增长，数据中心服务器、智能汽车和AI PC等设备也可能越来越多地采用内存，以获得其兼具高性能与高能效的卓越优势。

据悉，目前，美光已向特定合作伙伴送样基于1γ节点的 16GB产品，并将提供从8GB至32GB的多种容量用于2026年的旗舰智能手机。