HBM3E内存技术竞赛白热化：三星4月强势出击，美光已抢占先机

“某咸鱼的小号”网友曝光了重要资讯。据最新报道，至4月10日，由于新关税政策尚不明晰，存储行业正遭遇新一轮的激烈市场竞争。

美关税下的加速竞争

4月8日，韩媒指出，美国的关税政策充满不确定性。尽管如此，存储行业的领军企业并未减缓发展节奏，反而加速了在HBM3E市场的竞争。面对关税政策带来的压力，这些企业并未退缩，而是积极把握发展机遇，全速推进。他们普遍认为，抓住HBM3E市场的先机，或许有助于在未来的市场竞争中取得有利地位。

三星供应计划

三星在激烈的市场竞争中力求保持领先，对HBM3E产品进行了技术革新。预计本年4月，三星将向英伟达批量提供8H版本产品。同时，若项目进展顺利，三星的12层HBM3E产品有望在5月获得英伟达的认可。这些举措展现了三星在技术和市场领域的雄心，同时也凸显了与英伟达合作的重视程度。

SK海力士遇挑战

SK海力士在HBM领域持续占据领先地位，然而近期遭遇了美光的激烈竞争。美光在此领域取得了重要进展。3月份，美光验证了12层HBM3E技术，并开始向市场推出相关产品。这些产品旨在与英伟达B300系列新品相匹配，对SK海力士的市场地位构成了明显威胁。

美光工艺优势

美光在DRAM总产量上略低于SK海力士，然而在10nm级1b先进制程技术领域，其市场份额相当可观。这一技术优势使得美光在产品质量上尤为出色，尤其在HBM散热管理这一关键领域，其表现尤为突出。在激烈的市场竞争中，工艺的领先地位可能成为美光实现突破的关键。

HBM4竞赛开启

存储领域的头部企业正集中精力研究HBM4技术。三星预计将在2025年实现HBM4技术的批量制造。然而，其10纳米1c DRAM技术尚未达到成熟水平，实现目标遭遇了巨大障碍。通常，新技术的突破会大幅增加市场收益，三星对此机会持谨慎态度，但并未有放弃的打算。

未来竞争趋势

韩国官方消息显示，美光计划于2026年发布HBM4系列新品。在2025年下半年生产的HBM产品中，12层产品将占据主导地位。这一现象表明，两大存储领域巨头在技术进步方面各自制定了不同的战略。展望未来，存储领域的竞争将愈发激烈。美光能否在竞争中超越SK海力士，这一结果备受瞩目。

存储领域的主要企业正面临激烈的竞争态势，关于哪一方能够崭露头角，各方普遍持有不同的猜测。欢迎各位在评论区发表您的看法。同时，恳请您为本文点赞并推广分享。