三星电子优化第六代1cm工艺DRAM设计，提升良品率以推动HBM4内存量产

2月12日消息，三星电子正在战略性地重新调整其第六代1cm工艺DRAM的设计，目的在于提高良品率，确保HBM4内存的稳定量产。自该技术推出以来，三星的1cm DRAM便一直困扰于良品率不足的问题。虽然计划于2024年底进行试产，但效果未达预期，通常情况下，大规模生产的良品率在60%至70%左右，这显然不足以支撑高品质市场的需求。

为了解决这一难题，三星决定在设计上进行巧妙的调整，保持核心电路线宽不变，而对外围电路线宽的要求则有所放松。这一变革预计将大幅提升良品率，确保HBM4内存的顺利投产。

三星设定了野心勃勃的目标，计划于2025年6月开始量产1cm DRAM，进一步为HBM4的生产铺平道路。HBM4内存作为三星未来内存业务的重要支柱，其良品率直接关系到三星在竞争激烈的市场中的地位。与此同时，竞争对手SK海力士也在同一领域紧追不舍，预计最快将于2025年2月实现1cm DRAM芯片的量产，成为全球首个应用1cm工艺生产DRAM的存储器供应商。

在这个迅速发展的科技战场上，三星似乎正以坚决的姿态推动自身技术进步，力求在未来的内存市场中占据一席之地。