荣芯半导体深槽隔离结构专利公开：2025年半导体技术新突破

金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“深槽隔离结构及其制作方法”的专利，公开号 CN A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明提供一种深槽隔离结构及其制作方法，所述深槽隔离结构包括：衬底；深槽，位于衬底内；电介质层，覆盖深槽的侧壁与底部；贯穿槽，贯穿位于深槽底部的部分所述电介质层，暴露出衬底；第一半导体材料层，为 P 型外延层，填满贯穿槽，与衬底连接；第二半导体材料层，填充深槽，与第一半导体材料层连接，且深槽顶部的第二半导体层具有金属接触。本发明降低了深槽填充的难度，同时降低了深槽内的第二半导体材料层与衬底的 P 型轻掺杂外延层之间电连接的电阻，提高了电连接的均匀性与稳定性。

天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本万人民币，实缴资本万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可35个。

本文源自：金融界